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NOR Flash爆發(fā)期將至,恒爍半導(dǎo)體乘風(fēng)破浪而來(lái)!

日期: 2020-07-01
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??近年來(lái),存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占比逐年提升,存儲(chǔ)器市場(chǎng)也是芯片交易市場(chǎng)中最熱門的板塊之一。其中,NOR Flash在經(jīng)過(guò)之前的低谷后,該市場(chǎng)正在快速回溫。隨著供需關(guān)系的變化和整個(gè)市場(chǎng)行情的回暖,以及新興應(yīng)用的崛起,NOR Flash的重要性受到越來(lái)越多地關(guān)注。


? 新興驅(qū)動(dòng):NOR Flash需求激增

??一般來(lái)說(shuō),存儲(chǔ)芯片可以簡(jiǎn)單分為DRAM和Flash,F(xiàn)lash又分為NOR Flash 和Nand Flash兩種。其中,NOR Flash芯片應(yīng)用領(lǐng)域極其廣泛,幾乎所有需要存儲(chǔ)系統(tǒng)運(yùn)行數(shù)據(jù)的電子設(shè)備都需要使用NOR Flash。特別是在新興應(yīng)用的推動(dòng)下,市場(chǎng)對(duì)NOR Flash需求較為旺盛,產(chǎn)品供不應(yīng)求,漲價(jià)趨勢(shì)較為明顯,市場(chǎng)規(guī)模也將重回增長(zhǎng)。具體而言,以TWS耳機(jī)為代表的可穿戴設(shè)備、手機(jī)屏幕顯示的AMOLED和TDDI技術(shù),以及功能越來(lái)越強(qiáng)大的車載電子等領(lǐng)域,是NOR Flash市場(chǎng)空間獲得再次擴(kuò)大的主要?jiǎng)恿Α?/span>

??以TWS耳機(jī)為例,據(jù) 統(tǒng)計(jì),2019年全球 TWS 耳機(jī)出貨量為1.29 億部,呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。而每顆TWS耳機(jī)均需要一顆NOR Flash 用于存儲(chǔ)固件及相關(guān)代碼。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,以及相關(guān)企業(yè)為了保證自家TWS耳機(jī)具有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,TWS耳機(jī)功能將會(huì)持續(xù)增加,而功能的增加也就意味著NOR Flash容量需求的增多。

??新興應(yīng)用驅(qū)動(dòng)使得NOR Flash的需求必然是從點(diǎn)到面的曲線式增長(zhǎng)??紤]到穩(wěn)定增長(zhǎng)的市場(chǎng)環(huán)境,對(duì)于國(guó)內(nèi)相關(guān)廠商而言是遇到了良機(jī),他們需要做的是牢牢把握機(jī)遇從而轉(zhuǎn)化為自身優(yōu)勢(shì)。


? 不斷精進(jìn):國(guó)產(chǎn)NOR Flash實(shí)現(xiàn)突破

??目前,行業(yè)主流的NOR Flash產(chǎn)品工藝節(jié)點(diǎn)是65nm。而存儲(chǔ)器界的黑馬恒爍半導(dǎo)體,迎來(lái)新突破,推出48nm NOR Flash產(chǎn)品,率先走入新一代工藝節(jié)點(diǎn)。

? 恒爍NOR Flash 產(chǎn)品采用了功能更為復(fù)雜的芯片電路設(shè)計(jì)及不斷創(chuàng)新的工藝。它與上一代65nm產(chǎn)品相比,具有更高密度的集成,從而使得產(chǎn)品的特征尺寸不斷縮小,使其更廣泛地適配于各種應(yīng)用領(lǐng)域。并且,對(duì)于同等容量的存儲(chǔ)芯片來(lái)說(shuō),Die size也就更小,如此一來(lái)大幅突顯出其成本優(yōu)勢(shì),因此成本也有了顯著地下降。

??在產(chǎn)品設(shè)計(jì)上不斷進(jìn)行突破,從不同角度考慮提升產(chǎn)品質(zhì)量及性能。強(qiáng)調(diào),此次推出的48nm NOR Flash具有幾大優(yōu)勢(shì):通過(guò)有效刷新閃存單元數(shù)據(jù),提高數(shù)據(jù)留存周期;使用新型擦除操作算法,提高產(chǎn)品可靠性;增加頻率監(jiān)測(cè),減小溫度的波動(dòng)對(duì)產(chǎn)品的影響;增加電源驅(qū)動(dòng),減小供電電源波動(dòng)對(duì)產(chǎn)品的影響等等。

? ??同時(shí),新產(chǎn)品繼續(xù)支持標(biāo)準(zhǔn)SPI/Dual/Qual SPI及QPI的基礎(chǔ)上,增加了DTR傳輸模式,即在時(shí)鐘上升沿和下降沿都可以進(jìn)行數(shù)據(jù)輸出,相較于之前STR的單時(shí)鐘邊沿采樣,同樣的頻率下,有了雙倍的傳輸速率,進(jìn)一步提高了數(shù)據(jù)訪問(wèn)的效率。再加以48nm的工藝制程,使得新產(chǎn)品在讀寫速度上占優(yōu)勢(shì),在相同條件下產(chǎn)品功耗更小,有效地延長(zhǎng)了產(chǎn)品壽命。

??NOR Flash的需求激增讓國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器企業(yè)迎來(lái)了歷史性的發(fā)展機(jī)遇,以恒爍半導(dǎo)體為代表的國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片企業(yè)逐漸成熟壯大。隨著5G、IoT及自動(dòng)駕駛等新興市場(chǎng)的快速增長(zhǎng),NOR Flash行業(yè)的發(fā)展?jié)摿τ心抗捕?。將?huì)有更多的國(guó)內(nèi)企業(yè)入局,與恒爍半導(dǎo)體共同創(chuàng)新謀變,打破高端市場(chǎng)進(jìn)口壟斷的局面。

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